HALL电流传感器应用最广泛，其基本原理是使用HALL 感应单元测量电流产生的磁感应强度B，通过信号处理得到被测电流的大小和方向。基于HALL效应的HALL感应单元，封装在集成电路中。
HALL 效应最早由爱德文·霍耳（EdwinHall）于1879 年发现。在长方形导体薄板上通以电流I，沿电流的垂直方向施加磁感应强度B，在洛伦兹力的作用下，在与电流I 和磁感应强度B都垂直的方向上产生电势差E，此现象为HALL效应，如图2所示。
HALL 感应单元常用的材料有：锑化铟（InSb），砷化铟（InAs）和砷化镓（GaAs）［4］，这些感应单元的典型特性［5］如表1 所示。表1 表明：HALL感应单元的灵敏度比较低、温漂大。
正在研究开发中的石墨烯HALL感应单元［6］可以解决温漂大、灵敏度低的问题，是HALL 感应单元的一个发展方向。HALL电流传感器有开环和闭环2 种实现技术，采用外部供电。为了应用方便，自供电式电流传感器正在研究中。