巨磁阻效应是磁阻效应的一种，巨磁阻材料就是根据这种特性制成的。利用这材料制成的电阻可以用来检测磁场的变化。图2.1 是巨磁阻传感器的原理图。整个电路由4 个巨磁阻磁敏电阻组成一个惠斯通电桥结构，其中R1，R3 被NiFe 材料的屏蔽，不能感应到磁场的变化。电阻R2，R4 未被屏蔽[46]。在外磁场的作用下，被屏蔽的R1，R3 阻值不发生变化，而没有屏蔽的R2，R4 的阻值改变，使得电桥输出发生变化，电桥的输出结果反应出了外磁场的大小。
电桥两端施加直流电压VCC，R1，R2，R3，R4的初始阻值为R。当施加的磁场方向与巨磁阻传感器的磁敏方向一致时，R2，R4的阻值将会同时增大或者减小，变化量相等，设变化量为△R，则有：
其中，B表示导线电流产生的磁场，I表示被测电流，d表示测量点P和被测导线的垂直距离，θ1和θ2表示测量点P与被测导线两端的夹角。式（2-11）表示的是GMR传感器输出电压V和被测电流I的关系。巨磁阻电流传感器由巨磁阻传感器、磁环、线圈、放大电路、功率放大电路组成。巨磁阻电流传感器主要有两种结构：开环和闭环。下面将会对两种结构的电流传感器的原理及其运用范围进行介绍。